http://www.eetimes.com/news/semi/showArticle.jhtml?articleID=201200024
Se presentan como a primera altarnativa a los smiconductores desde la époco del tubo de vacío:
'' "Our technology is the first viable alternative to semiconductors since the vacuum tube," said Adam Rentschler, Phiar's director of business development. ''
Pero en principio sólo en muy altas frecuencias (antenas de radar, conexiones de datos a altas frecuencias...). Más baratos de fabricar que los dispositivos se GaAs que se usan en estas aplicacónes ya que se servirían de técnicas muy difundidas de fabricación de CMOS.
Al parecer sustituyen la capa de semiconductor con una capa de metal y aislante que combinada apropiadamente con la capa de aislante y metal que tradicionalmente existe en los semiconductores "de seimpre" deja la estructura metal1-aislante1-aislante2-metal2 a través de la que el paso de electrones se hace por efecto túnel de alta energía (al parecer se forman pozos cuánticos enre las capas aislantes que sólo permiten esta fenómeno). Esto se produce a muy alta velocidad lo que produce unos tiempos de conmutación tan bajos que permite alcanzar frecuencias de hasta 3,8 THz.
Encontrado en un foro de Realworldtech: http://www.realworldtech.com/forums/index.cfm?action=detail&id=81344&threadid=81344&roomid=2
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